我所2015年度修购专项的仪器将于近期开始实施公开招标采购。通过前期举办的技术讲座，已充分征集了来自相关研究方向的意见。现拟定了第一期采购仪器的配置需求和技术规格，予以公示。 

　　对于配置需求和技术规格有补充意见者，请将意见发送到zhangjun@dicp.ac.cn。 

　　联系人：张俊 89719

    公示截止日期：2015年6月5日 

　　第一期采购仪器配置需求和技术规格表 

　　1、 高压物理吸附分析仪 

　　配置需求和技术规格表如下： 

　　主机一套，内含进气口，分析站和原位脱气站、恒温吸附歧管、低压&高压压力传感器、机械真空泵、液氮低温系统、加热包等主要部件；还包括以下附件：计算机自动控制增压器，液氮液位自动恒定系统，氢化物吸附-脱附动力学附件（氢化物形成-分解扩展系统），带石英样品管、1 mmHg传感器的中孔测试分析系统，实现仪器控制、数据采集和处理的软件系统。 

　　1、分析站数：2个。 

　　2、工作压力：100bar～ 0.0005bar。 

　　3、传感器配置：低压传感器2个1 bar；高压传感器2个100 bar。 

　　4、真空泵：内置机械真空泵，真空度可达5×10^-3 mbar 

　　5、加热包：最大加热温度≥400℃。 

　　6、输入气体路数：≥ 2路。 

　　7、分析歧管恒温控温精度：≤ ± 0.02℃。 

　　8、压缩因子测量：带自由体积校正气室，可直接测量压缩因子。 

　　9、自由体积校正：提供氦气测试和输入两种方法。 

　　10、加配氢化物吸附-脱附动力学附件。 

　　11、加配液氮液位自动恒定系统，包括，自动液氮传输系统，液氮储罐，液氮计量系统，液位传感器系该系统必须由仪器软件自动控制。 

　　12、加配实现中孔分析测试功能的分析系统1 mmHg传感器。 

　　13、死体积校准要求：带He气自动校准功能。 

　　14、自动增压系统可将最低55bar的不凝结气源自动增压到最大压力：100 bar。 

　　2、 高压全自动化学吸附分析仪 

　　配置需求和技术规格表如下： 

　　主机一套，内含：多个进气口、气路切换控制阀、气体管路温控系统、带压力控制的MFC、高精度TCD检测器、高温加热炉、温度传感器、不锈钢反应管、石英样品管，炉子冷却吹气口等主要部件组成。还包括气体混合器附件和必要的标准物质、消耗品，实现仪器控制、数据采集和处理的软件系统。 

　　1、系统最高测试压力：≤100 Bar 

　　2、  反应炉工作温度范围：室温～1200℃ 

　　3、升温速率：1～30℃/分钟                          

　　4、反应炉类型：贝壳式电加热炉。 

　　5、反应炉温度测控方式：采用“床温”和“炉温”双点测控方式。 

　　6、样品温度测控方式：独立的温度传感测量与控制。 

　　7、气体管路数：≥ 3 路载气，≥ 3路处理气，≥ 2路混合气。 

　　9、管路加热与温度控制要求：仪器内部所有管线和控制阀门均可以加热控温，以防止蒸汽的凝结和滞留。 

　　10、MFC数量：≥ 3个。 

　　11、气体流速范围：5～50 SCCM。 

　　12、检测器类型：线性度良好的高灵敏热导检测器TCD。 

　　13、TCD的最大工作温度：200℃。 

　　14、TCD检测器材料：有2种材料可选（钨，金/钨）。 

　　15、反应管类型：同时配置不锈钢SS 316直壁反应管，石英U形管、泡形管。 

　　16、样品装填量：0.1～1 g。 

　　17、LOOP环：配置10种体积以上的LOOP环，包括微升级的和毫升级的。 

　　18、蒸汽发生器:配置软件多点控温蒸汽发生器。 

　　19、外置气体混合器：选配外置的带2路MFC控制的气体混合器。 

　　20、化学吸附校准标样一套。 

　　3、 重量法原位吸附分析系统 

　　配置需求和技术规格表如下： 

　　仪器系统配置 

　　1、 重量法原位吸附分析系统主机一台。 

　　2、 涡轮分子泵组真空系统一套。 

　　3、 三路进气系统、静态蒸气吸附系统一套。 

　　4、 500℃升温加热炉系统一套。 

　　5、 控制温度为-196°C的液氮冷浴套和BET软件一套。 

　　6、 样品管：石英吊篮样品管、钢丝网吊篮样品管、玻璃吊篮样品管各一套。 

　　7、 配置反应管密封垫圈、真空泵油等的系列零配件和维护套件一套。 

　　8、 仪器操作控制和数据处理软件一套。 

　　主要技术规格 

　　1、天平类型：高灵敏度微电子天平，天平区、样品区和气体处理区相对独立。 

　　2、天平量程：0～5 g。 

　　3、动态称量范围：0～200 mg。 

　　4、最大装样量：200 mg。 

　　5、称重分辨率：0.2 μg。 

　　6、天平长期稳定性：±1 μg。 

　　7、温度范围：40～500 ？C。 

　　8、升温速率：0.05～3 ？C/min。 

　　9、控温精度：± 0.1～1 ？C。 

　　10、冷却速度：3～5小时到室温。 

　　11、液氮杜瓦：控温-196？C，可做BET实验（含BET分析软件模块）。 

　　12、工作压力范围：10？6 mbar ～20 bar。 

　　13、压力传感器：系统配置2个传感器，0～20 bar和0～100 mbar。 

　　14、压力分辨率：量程的1/16000。 

　　15、压力测量精确度：量程的±0.02%。 

　　16、最大压力变化速度：量程的 1%/sec。 

　　17、真空系统真空度：工作真空度10？6 mbar，极限真空度10？8 mbar。 

　　18、气体路数：配置3路以上进气系统，每一路气体可以独立控制；每路配置单向阀。 

　　19、气体流量范围：3～500 mL/min。 

　　20、流量控制精度：±1%量程，线性度良好。 

　　21、蒸汽样品池：液体样品池装填液态有机物样品。 

　　22、蒸汽进样方式：自动控制蒸气输送系统。 

　　23、液体进样温度控制方式：防凝结温度控制系统。 

　　4、 振动圆二色光谱仪 

　　配置需求和技术规格表如下： 

　　仪器系统配置 

　　1、振动圆二色光谱仪主机一台，含2个金刚砂陶瓷光源、ZnSe镀膜光学镜片、内置自动识别滤光片、干涉仪、1个内置的37KHz全反射镀膜ZnSe光弹调节器、1个内置MCT检测器等。 

　　2、附加内置、带控制器的37kHz全镀膜ZnSe双光弹调节器（DualPEM）一套。 

　　3、同步旋转样品池一套。 

　　4、带BaF2窗片的、可变光程液体样品池一套。 

　　5、电子控温样品池一套 

　　6、VCD计算软件包一套。 

　　7、VOA比较软件包一套。 

　　主要技术规格 

　　1、光源：金刚砂陶瓷双光源配置。 

　　2、光电调制器：全镀膜ZnSe双光电调制器（PEM），含数字控制软件。 

　　3、光学镜片：ZnSe镀膜光学镜片。 

　　4、干涉仪：四点光学设计的步进马达干涉仪，实现扫描运动平稳、等速、均匀 

　　5、检测器：MCT检测器, 液氮冷却保持时间大于24小时。 

　　6、滤光片：自动切换适应检测器从近红外到中红外均可选用的滤光片系统。 

　　7、光谱范围：4500？750cm^-1。 

　　8、分辨率：128？1 cm^-1。 

　　9、信号采集方式：可同时采集红外（IR）信号与VCD信号。 

　　10、信号处理模式: 采用快速数字信号处理器，无需锁相放大器和电子滤波器。 

　　11、VCD计算软件包具有如下功能：扩展构象搜索，完整的Gaussian09程序，波兹曼平均，光谱输出。 

　　12、VOA比较软件包：计算软件用以比较实验数据和理论计算数据。 

　　5、 多功能扫描探针电化学工作站 

　　配置需求和技术规格表如下： 

　　仪器系统配置 

　　1、通用样品台定位扫描系统一套。 

　　2、含交流接触扫描技术的扫描电化学显微系统(SECM)一套。 

　　3、含间歇接触式扫描技术的扫描电化学显微系统(SECM)一套。 

　　4、微区电化学阻抗测试系统(LEIS)一套。 

　　5、扫描振动探针微区电化学活性测试系统(SVP)一套。 

　　6、电解液微滴扫描系统(SDS)一套。 

　　7、非接触式微区形貌测试系统(OSP)一套。 

　　8、用于LEIS、SVP测试系统的扫描探针各三套；10μm、15μm、25μm电极各三套。 

　　9、电解液液体电化学样品池、多功能样品池各二个，气氛、流量、温度可控的环境电化学样品池一个。 

　　10、附加扫描探针显微数据快速分析处理和成像专用软件包一套。 

　　11、附加扫描探针显微数据三维成像与分析软件包一套。 

　　主要技术规格 

　　1、轴向（x、y、z）扫描范围：≥ 100 mm。 

　　2、扫描驱动分辨率：≤ 10 nm 

　　3、轴向（x、y、z）定位分辨率：≤ 20 nm。 

　　4、最大扫描速度：10 mm/s。 

　　5、扫描探针压电振动范围：10nm～1μm。 

　　6、扫描探针压电振动控制分辨率：≤ 0.15 nm 

　　7、扫描探针压电振动定位分辨率：≤ 0.1 nm 

　　8、恒电位仪施加电位及分辨率：±10V,≤ 5 nV。 

　　9、恒电位仪测量电位及分辨率：±10V,≤ 2μV。 

　　10、电流量程：1nA ～ 1A。 

　　11、最大电流：≥ 300 mA。 

　　12、电流分辨率：≤ 25 fA。 

　　13、最小脉冲持续时间：100 μS。 

　　14、扫描速度: 1 μV/s ～ 200 V/s。 

　　15、静电计输入阻抗: ≥1013Ω。 

　　16、静电计带宽：≥ 1MHz。 

　　17、静电计带宽（微区阻抗测量）：≥ 100kHz。 

　　18、EIS频率范围：1μHz～1MHz 

　　19、间歇式接触测量模块的针尖控制方式：压电元件和步进电机。 

　　20、间歇式接触测量模块压电晶体形变尺度：100μm。 

　　21、间歇式接触测量模块的振动频率范围：50Hz～500Hz。 

　　22、间歇式接触测量模块的z轴控制分辨率：≤ 0.1 nm。 

　　23、间歇式接触测量模块的形貌测量分辨率：≤ 2μm 

　　24、电解液微滴扫描系统的液滴尖端参比电极： Ag/AgCl电极。 

　　25、电解液微滴扫描系统的液滴尖端对电极：Pt电极。 

　　26、电解液微滴扫描系统的尖端孔径：≥ 80 μm。 

　　27、电解液微滴扫描系统的尖端定位分辨率：≤220μm。 

　　28、扫描振动探针微区电化学活性测试信号处理技术：双相振荡器的锁相放大器技术。 

　　29、扫描振动探针微区电化学活性测试系统锁相放大器最大增益：105 。 

　　30、扫描振动探针微区电化学活性测试系统差分电位计输入阻抗：1015Ω。 

　　32、扫描振动探针微区电化学活性测试系统振动驱动方式：一维低电压控制的压电驱动。 

　　32、扫描振动探针微区电化学活性测试系统振动振幅：1～25μm。 

　　33、扫描振动探针微区电化学活性测试系统电化学参数测量灵敏度：≤ 10 μA/cm2 

　　34、非接触式微区形貌测试系统测量范围:≥ 6 mm。 

　　35、非接触式微区形貌测试系统参比距离: 25mm～35 mm。 

　　36、非接触式微区形貌测试系统最大垂直分辨率：≤ 120nm。 

　　37、非接触式微区形貌测试系统光斑大小: ≤ 50 μm。 

　　38、非接触式微区形貌测试系统扫描速度: ≥ 10 mm/s。 

　　39、非接触式微区形貌测试系统光源类型: 固定波长半导体激光器。 

　　40、非接触式微区形貌测试系统光源最大功率：≥0.75 mW。